Chips

HZDR

  • Das Helmholtz-Zentrum Dresden-Rossendorf (HZDR) hat 2020 gemeinsam mit Instituten aus Ohio, Berkeley und Los Alamos ein neues Material entwickelt, das sich für besonders billige und sparsame Leistungselektronik für Elektroautos, Hochgeschwindigkeitszüge und Solarkraftwerke eignet. Dafür haben die Forscher und Forscherinnen eine spezielle Galliumoxid-Art mit Wasserstoff-Atomen beschossen. Durch diese Dotierung kann dieses Halbleitermaterial nun mit schwachen Steuersignalen auch sehr starke Ströme und hohe Spannungen umschalten. Die Bandlücke von Galliumoxid gilt unter Experten als ultrabreit, erläutert die Kernphysik-Abteilung. Sie macht das Material besonders attraktiv für die Leistungselektronik, denn sie verspricht Anwendungen in Bereichen hoher elektrischer Feldstärken, bei denen heute etablierte Halbleitermaterialien unweigerlich zerstört würden. Doch Chipfabriken konnten Galliumoxid bisher nicht sinnvoll verarbeiten, weil sich Galliumoxid nur schwer durch Beschuss mit Fremdatomen in seinen elektronischen Eigenschaften manipulieren ließ.